Отличительная особенность магнитоуправляемого сенсора на основе металлоксидных соединений (мультислойных структур) базируется на явлении спиновой поляризации электронов проводимости.

Принцип работы магнитного датчика на эффекте туннельного магнетосопротивления.

		магнитные слои Sr2FeMoO6
		диэлектрические слои Al2O3

При реализации эффекта спин-зависимого туннельного переноса заряда применяются пленки Sr₂FeMoO₆ (~200 нм), разделенные тонкой диэлектрической прослойкой Al₂O₃ (~5-7 нм).

Схемы спинтронных устройств.