Проведенное исследование автоэмиссионных свойств УНТ, сформированных на основании структур Si/SiO₂/Ni, показало перспективность их использования в качестве полевых катодов с низким порогом эмиссии и долговременной стабильностью.

Обнаружена высокая стабильность автоэмиссионного тока и светимости экрана с катодом на основе структуры Si/SiO₂/Ni с УНТ. Изменение тока за время измерения (5 часов) не превысило 8%, наиболее высокая его стабильность наблюдалась при межэлектродном расстоянии 1 мм.

Осаждение никеля в поры

Поры в слое SiO2 на подложке n-Si частично заполненные никелем

Синтез углеродных нанотрубок

УНТ выращенные на Ni кластерах

Исследование автоэмиссионных свойств катодов из УНТ

Измерение светимости с увеличением приложенного потенциала (расстояние катод-анод 1 мм). В качестве катода использовалась структура с УНТ (результаты получены в институте неорганической химии им. А.В.Николаева СО РАН)

В зависимости от межплоскостного расстояния катод-анод, наблюдается изменение зависимости площади светимости от приложенного поля. При увеличении межэлектродного расстояния уменьшается порог автоэмиссионного тока, что приводит также к появлению светимости при более низких напряженностях поля. При межэлектродном расстоянии 0,1 мм площадь светового поля менее 20%, даже при учете слабосветящихся областей. Увеличение расстояния катод-анод до 0,5 мм привело как к уменьшению порогового поля для светимости экрана, так и к увеличению относительной светоизлучающей площади. При дальнейшем увеличении межэлектродного расстояния до 1 и 3 мм наблюдалось насыщение кривой светимости.

Проведенное исследование автоэмиссионных свойств УНТ, сформированных на основании структур Si/SiO₂/Ni, показало перспективность их использования в качестве полевых катодов с низким порогом эмиссии и долговременной стабильностью.

Сотрудничество

• Институт неорганической химии им. А.В.Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия

В рамках проекта

Проект по программе БРФФИ "Наука-МС"

Ссылки на статьи

Канюков Е.Ю., Демьянов С.Е., Петров А.В., Окотруб А.В., Возможность использования пористых систем Si/SiO2 для формирования массива углеродных нанотрубок // Сборник докладов XIII Ежегодного Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 16-20 марта 2009 г., Н.Новгород, Россия, с. 268-269.