Определение оптических параметров тонких пленок и солнечных элементов на основе полупроводниковых соединений Cu(In,Ga)Se₂, сформированных на гибких подложках.

Информация об организаторе научной программы: http://fond.bas-net.by/default_rus.html

Определение природы ростовых и радиационных дефектов в монокристаллах и тонких пленках CuInSe₂ и CuInS_2.

Информация об организаторе научной программы: http://fond.bas-net.by/default_rus.html

Задание Государственной комплексной программы научных исследований (ГКПНИ) «Наноматериалы и нанотехнологии», задание 6.17 «Определение радиационной стойкости халькопиритных соединений Cu(In,Ga)Se2 и низкоразмерных широкозонных (CdS, ZnO) полупроводниковых структур, используемых для преобразования солнечной энергии».