Проведенное исследование автоэмиссионных свойств УНТ, сформированных на основании структур Si/SiO₂/Ni, показало перспективность их использования в качестве полевых катодов с низким порогом эмиссии и долговременной стабильностью.

Обнаружена высокая стабильность автоэмиссионного тока и светимости экрана с катодом на основе структуры Si/SiO₂/Ni с УНТ. Изменение тока за время измерения (5 часов) не превысило 8%, наиболее высокая его стабильность наблюдалась при межэлектродном расстоянии 1 мм.

Синтезированы углеродные нанотрубки и SiC вискеры в результате пиролиза паров ацетонитрила на никелевых кластерах, осажденных в порах, полученны при протравливании треков ионов тяжелых металлов в диэлектрических слоях SiO₂ на монокристаллических подложках кремния. Полученные структуры исследованы методами растровой электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света, измерены их автоэмиссионные характеристики.

TEMPOS - «Tunable Electronic Material in Pores in Oxide on Semiconductors» – «Управляемый Электронный Материал с Порами в Оксиде Кремния».

TEMPOS-структуры проявляют свойства схожие со свойствами электронных устройств типа МОП-структур, обладающих нелинейными вольт-амперными характеристиками, в том числе отрицательным дифференциальным сопротивлением. В тоже время TEMPOS-структуры имеют дополнительные свободные параметры, такие как форма и плотность протравленных треков, положение, высота, диаметр, и тип материала, внедренного в треки.

Впервые проведено изучение электрофизических и гальваномагнитных свойств структур Si/SiO₂/металл в широком интервале температур (1,8-310 К) и магнитных полей (до 14 Тл), позволивших определить доминирующие механизмы электропереноса в системе диэлектрик-металл-полупроводник в различных интервалах температур.

На основе гибких полимерных пленок с треками быстрых тяжелых ионов могут быть созданы различные нано- и микроэлектронные устройства:

• сенсоры температуры, давления, влажности, магнитного поля и светового излучения
• микроэлектротехнические устройства (микротрансформатор, микроконденсатор и т.д.)
• микросхемы на гибкой основе
• перспективные системы хранения информации

С использованием метода треков быстрых тяжелых ионов создана структура n-Si/SiO₂/Ni (рис.1). Схема расположения контактов на структуре Si/SiO₂/Металл для измерения электро-физических и гальваномагнитных свойств:

Рис.1. Схематическое изображение структуры Si/SiO2/Металл: 1 – металл в порах; 2 – слой оксида кремния; 3 – кремний; 4 – токовые контакты; 5 – потенциальные контакты; 6 – холловские контакт