Russian (RU)
Регистрация
Разработка научно-технических принципов создания новых электронных и электротехнических устройств

Чередующиеся магнитные/немагнитные слои металла в порах:

На рентгенограммах регистрируются отражения, отождествляемые с гранецентрированной кубической (ГЦК) фазой никеля (параметр элементарной ячейки a = 0,352 нм), ГЦК-фазой меди (a = 0,362 нм) и фаза твердого раствора состава Ni0,5Cu0,5 с параметром кристаллической решетки а = 0,357 нм (рис. 1).

Рис.1. Рентгенограмма слоев никель-медь, сформированного в порах слоя SiO2.

 

 

При помощи сканирующего электронного микроскопа получили поверхности гетероструктуры p-Si/SiO2(Ni-Cu) (рис. 2).

Рис.2. Изображение CЭМ поверхности гетероструктуры p-Si/SiO2(Ni-Cu).

Благодаря этой концепции возможно получение управляемого электронного материала с порами в оксиде на полупроводнике (TEMPOS). Поведение TEMPOS-структур зависит от:

  • Материала и толщины диэлектрического слоя
  • Типа полупроводниковой подложки
  • Размеров, форм и пространственного распределения треков (пор)
  • Типа и распределения материала, осажденного в поры

 

Перспективы дальнейшей работы со структурой Si/SiO2/(Cu/Ni) с целью усиления магнеторезистивного эффекта и расширения температурного интервала его существования связаны с созданием чередующихся слоев металлов в порах. При двухслойной металлической структуре появляется MR (до 40 %) при комнатных температурах (рис. 3). Её применение упрощает проектирование схем за счет уменьшения числа периферийных элементов, что приводит к выигрышу в скорости функционирования и к большей надежности

Рис.3. Зависимость магнетосопротивления от температуры структуры Si/SiO2/(Cu/Ni).

Концепция позволяет создавать углеродные нанотрубки (УНТ) на никелевых кластерах в порах слоя SiO2. На базе структур Si/SiO2/Ni с УНТ возможно конструирование различных электронных и электротехнических устройств.