Russian (RU)
Регистрация
Анизотропия малоуглового рассеяния электронов проводимости металлов в сильных магнитных полях

Измерения температурных зависимостей отклонения от правила Матиссена (ОПМ) на монокристаллах сплавов Al-Y и Al-Ga при изменении концентрации примесей, величины и направления магнитного поля позволили установить, что:

 

  • Направление сильного магнитного поля относительно кристаллографической ориентации образцов оказывает определяющее воздействие на характер температурной зависимости ОПМ.
  • Максимум на температурных зависимостях ОПМ связан с конкуренцией электронных механизмов рассеяния, один из которых увеличивает, а другой - подавляет анизотропию функции распределения электронов. Анизотропия рассеяния проявляется в условиях электрон-фононных процессов с перебросом, когда электронные орбиты проходят через "горячие точки" на поверхности Ферми.
  • Отрицательное ОПМ наблюдается в условиях диффузного электрон-фононного рассеяния и связано с малоугловым характером рассеяния на областях динамической неустойчивости, возникающих из-за различия в характере колебаний атомов матрицы и примеси.

Температурные зависимости ОПМ монокристаллов сплавов Al-Y ориентации [111] в поле 8 Т.   1 - H || [110];   2 -  H || [110] ± 12o;  3 - H || [110] ± 18o Взаимосвязь пространственной локализации потока заряда и резистивных свойств проводящих сред.