TEMPOS - «Tunable Electronic Material in Pores in Oxide on Semiconductors» – «Управляемый Электронный Материал с Порами в Оксиде Кремния».

TEMPOS-структуры проявляют свойства схожие со свойствами электронных устройств типа МОП-структур, обладающих нелинейными вольт-амперными характеристиками, в том числе отрицательным дифференциальным сопротивлением. В тоже время TEMPOS-структуры имеют дополнительные свободные параметры, такие как форма и плотность протравленных треков, положение, высота, диаметр, и тип материала, внедренного в треки.

Принципиальная схема TEMPOS-структуры.
(1) полупроводниковая подложка, (2) слой диэлектрика, (3) каналы ионных треков заполненные металлом (-ами), (4) электрические контакты на поверхности диэлектрика, (5) управляющий контакт на поверхности полупроводника.

Это дает более широкие возможности для создания микро- и наноэлектронных устройств. Например, более сложная внутренняя структура TEMPOS по сравнению с традиционными электронными элементами, упрощает проектирование электронных схем. Уменьшение числа периферийных элементов приводит к выигрышу в скорости функционирования и к большей надежности, в первую очередь, к радиационной стойкости, так как добавка небольшого числа каналов передачи заряда при облучении к ~10⁸ уже существующим (т.е. ионным трекам) не окажет существенного влияния на характеристики.

Сотрудничество

• Dresden University of Technology, Hermholtzstr. 18, D-01062 Dresden, Germany
• Novosibirsk State Technical University, Karl Marx Ave. 20, 630092 Novosibirsk,
  Russia
• Hahn-Meitner-Institute, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, Germany
• Беларусь, Белорусский государственный университет, ул.Ленинградская, 14, 220050 г.Минск
• Hahn-Meitner Institute, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, Germany
• University of Hagen, Haldener Str. 182, D-58084 Hagen, Germany

В рамках проекта

Программа Союзного Государства "Нанотехнологии-СГ"

Ссылки на статьи

Petrov A.V., Kaniukov E.Yu., Demyanov S.E., Nocke A., Günther M., Gerlach G., Berdinsky A.S., Fink D., Kotov D.A., Humidity and Temperature Sensor Properties of P-Si/Pi/C60 Nanostructure with Swift Heavy Ion Tracks // Сборник материалов международной конференции “Nanomeeting–2009” (“Structure, Physics, Chemistry and Application of Nanostructures”), 26–29 мая 2009 г., Минск, Беларусь, с. 628-631.

Канюков Е.Ю., Петров А.В., Демьянов С.Е., Иванова Ю.А., Иванов Д.К., Стрельцов Е.А., Федотов А.К., Fink D., Fahrner W.R., Физические принципы создания наносенсоров на основе систем Si/SiO2/металл с треками быстрых тяжелых ионов // Сборник докладов международной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела», 23-26 октября 2007 г., Минск, Беларусь, том 2, с.384-388.