Разработка наноструктурных сенсоров магнитного поля на основе метода треков быстрых тяжелых ионов для применения, в том числе, в изделиях ракетно-космической техники |
Впервые проведено изучение электрофизических и гальваномагнитных свойств структур Si/SiO2/металл в широком интервале температур (1,8-310 К) и магнитных полей (до 14 Тл), позволивших определить доминирующие механизмы электропереноса в системе диэлектрик-металл-полупроводник в различных интервалах температур.
Схематическое изображение наносенсора магнитного поля на основе метода треков быстрых тяжелых ионов. Условные обозначения: 1) диэлектрический слой; 2) полупроводниковая подложка; 3) узкие каналы в диэлектрическом слое, заполненные металлом или слоями металлов; 4) рабочие контакты; 5) управляющий контакт.
Каналы в диэлектрическом слое, заполненные металлом или слоями металлов.
Зависимость магнитосопротивления от температуры для наноструктурного сенсора.
Впервые показано наличие положительного магнетосопротивления в структурах Si/SiO2/Ni при температурах менее 100 К, растущего с понижением температуры и достигающего 1000 % при температурах ~20 К. На основании полученных результатов предложена модель высокочувствительного сенсора магнитного поля. Возможное применение данных сенсоров: аппаратура космического применения, функционирующая при жидководородном охлаждении.
Наноструктурные сенсоры магнитного поля могут использоваться для регистрации магнитных полей в навигационных приборах и малогабаритных электромагнитных системах с характеристиками:
В рамках проекта Программа Союзного Государства "Нанотехнологии-СГ"
Ссылки на статьи
|